Arséniure de Gallium GaAs

Descrizzione

Arséniure de GalliumGaAs hè a semiconductor cumposti gap banda diretta di gruppu III-V sintetizzati da almenu 6N 7N gallium high purity è arsenicu elementu, è crisciutu cristali da VGF o prucessu LEC da high purity polycrystalline arsenide gallium, aspettu culore grisgiu, cristalli cubic cù struttura zinc-blende.Cù u doping di carbone, siliciu, telluriu o zincu per ottene una conduttività n-tip o p-tip è semi-insulating rispettivamente, un cristallu cilindrico InAs pò esse tagliatu è fabbricatu in blank è wafer in as-cut, inciso, lucidatu o epi. -pronta per a crescita epitaxial MBE o MOCVD.L'ostia di Gallium Arsenide hè principalmente aduprata per fabricà dispositivi elettronichi cum'è diodi emettitori di luce infrarossi, diodi laser, finestre ottiche, transistors à effettu di campu FET, lineari di IC digitale è cellule solari.I cumpunenti GaAs sò utili in frequenze radio ultra-alte è applicazioni di commutazione elettronica veloce, applicazioni di amplificazione di signali debuli.Inoltre, u substratu di Gallium Arsenide hè un materiale ideale per a fabricazione di cumpunenti RF, frequenza di microonde è ICs monolitici, è dispositivi LED in sistemi di cumunicazione otticu è di cuntrollu per a so mobilità di sala saturante, alta putenza è stabilità di temperatura.

Consegna

Gallium Arsenide GaAs in Western Minmetals (SC) Corporation pò esse furnitu cum'è un bloccu policristallino o wafer monocristallino in wafers as-cut, incisi, lucidati, o epi-ready in una dimensione di 2" 3" 4" è 6" (50 mm, 75mm, 100mm, 150mm) di diàmitru, cù conduttività p-type, n-type o semi-insulating, è orientazione <111> o <100>.A specificazione persunalizata hè per a suluzione perfetta à i nostri clienti in u mondu sanu.

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Specifica tecnica

Arséniure de Gallium

GaAs

Arséniure de Gallium GaAsWafers sò principalmente usati per fabricà apparecchi elettronichi cum'è diodi emettitori di luce infrarossi, diodi laser, finestre ottiche, transistors à effettu di campu FET, lineari di IC digitale è cellule solari.I cumpunenti GaAs sò utili in frequenze radio ultra-alte è applicazioni di commutazione elettronica veloce, applicazioni di amplificazione di signali debuli.Inoltre, u substratu di Gallium Arsenide hè un materiale ideale per a fabricazione di cumpunenti RF, frequenza di microonde è ICs monolitici, è dispositivi LED in sistemi di cumunicazione otticu è di cuntrollu per a so mobilità di sala saturante, alta putenza è stabilità di temperatura.

Innò.	Articuli	Specificazione standard
1	Taglia	2"	3"	4"	6"
2	Diametru mm	50,8 ± 0,3	76,2 ± 0,3	100 ± 0,5	150±0,5
3	Metudu di crescita	VGF	VGF	VGF	VGF
4	Tipu di Conductivity	Tipo N/Si o drogato Te, tipo P/dopato Zn, semi-isolante/non drogato
5	Orientazione	(100) ± 0,5 °	(100) ± 0,5 °	(100) ± 0,5 °	(100) ± 0,5 °
6	Spessore μm	350 ± 25	625±25	625±25	650±25
7	Orientazione Piatto mm	17 ± 1	22 ± 1	32 ± 1	Notch
8	Identificazione Piatto mm	7 ± 1	12 ± 1	18 ± 1	-
9	Resistività Ω-cm	(1-9)E(-3) per u tipu p o n-tipu, (1-10)E8 per u semi-isolante
10	Mobilità cm2/vs	50-120 per p-tip, (1-2.5) E3 per n-type, ≥4000 per semi-insulating
11	Carrier Concentration cm-3	(5-50) E18 per u tipu p, (0.8-4) E18 per u tipu n
12	TTV μm max	10	10	10	10
13	Prua μm max	30	30	30	30
14	Warp μm max	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	Finitura di a superficia	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	imballaggio	Contenitore di wafer unicu sigillatu in un saccu compositu d'aluminiu.
18	Rimarche	Wafer GaAs di qualità meccanica hè ancu dispunibule nantu à dumanda.

Formula lineare	GaAs
Pesu Molecular	144,64
Struttura cristallina	Blenda di zincu
Apparizione	Solidu cristalinu grisgiu
Puntu di fusione	1400 ° C, 2550 ° F
Puntu di ebollizione	N/A
Densità à 300K	5,32 g/cm³
Gap energeticu	1.424 eV
resistività intrinseca	3.3E8 Ω-cm
Numero CAS	1303-00-0
numeru EC	215-114-8

Arséniure de Gallium GaAsin Western Minmetals (SC) Corporation pò esse furnitu cum'è un pezzu policristallino o un wafer di cristallu unicu in wafers as-cut, incisi, lucidati, o epi-ready in una dimensione di 2" 3" 4" è 6" (50mm, 75mm, 100mm). , 150 mm) di diamitru, cù conductività p-type, n-type o semi-insulating, è orientazione <111> o <100>.A specificazione persunalizata hè per a suluzione perfetta à i nostri clienti in u mondu sanu.