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Gallium Phosfuru GaP

Descrizzione

Gallium Phosphide GaP, un semiconductor impurtante di pruprietà elettriche uniche cum'è altri materiali composti III-V, si cristalizza in a struttura ZB cubica termodinamicamente stabile, hè un materiale di cristallu semitrasparente giallu aranciu cù un intervallu di banda indirettu di 2,26 eV (300K), chì hè sintetizzati da 6N 7N gallium d'alta purezza è fosforu, è cresciute in cristalli unicu da a tecnica Czochralski Encapsulated Liquid (LEC).U cristallu di Fosfuru di Galiu hè dopatu di zolfo o telluriu per ottene un semiconductor di tippu n, è u zincu dopatu cum'è conductività di tippu p per più fabricazione in wafer desideratu, chì hà applicazioni in u sistema otticu, l'elettronica è altri apparecchi optoelettronici.Un wafer Crystal GaP unicu pò esse preparatu Epi-Ready per a vostra applicazione epitaxial LPE, MOCVD è MBE.Gallium phosphide GaP monocristallino di alta qualità, di tipo p, di tipo n o di conduttività non dopata in Western Minmetals (SC) Corporation pò esse prupostu in dimensioni di 2 "e 3" (50 mm, 75 mm di diametru), orientazione <100>, <111. > cù a finitura di a superficia di prucessu as-cut, lucidatu o epi-ready.

Applicazioni

Cù bassa corrente è alta efficienza in l'emissione di luce, l'ostia GaP di fosfuru di Gallium hè adattatu per i sistemi di visualizazione otticu cum'è diodi emettitori di luce rossi, aranciu è verdi (LED) à pocu costu è retroilluminazione di LCD gialli è verdi, ecc. luminosità bassu à mediu, GaP hè ancu aduttatu largamente cum'è sustrato di basa per i sensori infrarossi è a fabricazione di càmera di monitoraghju.

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Dettagli

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Specificazione tecnica

GaP-W3

Gallium Phosfuru GaP

Wafer GaP di Gallium Phosphide GaP à cristalli unicu di alta qualità o sustrato di tipu p, n-tipu o conducibilità undoped in Western Minmetals (SC) Corporation pò esse prupostu in dimensioni di 2 "è 3" (50mm, 75mm) di diametru, orientazione <100> , <111> cù finitura di a superficia di tagliata, lappata, incisa, lucidata, epi-ready processata in un contenitore di wafer unicu sigillatu in un saccu compositu d'aluminiu o cum'è specificazione persunalizata à a suluzione perfetta.

Innò. Articuli Specificazione Standard
1 GAP Size 2"
2 Diametru mm 50,8 ± 0,5
3 Metudu di crescita LEC
4 Tipu di Conductivity P-tipo/Zn-dopato, N-tipo/(S, Si,Te)-dopato, Un-dopato
5 Orientazione <1 1 1> ± 0,5 °
6 Spessore μm (300-400) ± 20
7 Resistività Ω-cm 0,003-0,3
8 Orientazione Flat (OF) mm 16 ± 1
9 Identificazione Flat (IF) mm 8 ± 1
10 Sala Mobilità cm2/Vs min 100
11 Carrier Concentrazione cm-3 (2-20) E17
12 Dislocazione Densità cm-2max 2.00E+05
13 Finitura di a superficia P/E, P/P
14 imballaggio Contenitore di wafer unicu sigillatu in un saccu cumpostu d'aluminiu, scatula di cartone fora
Formula lineare GaP
Pesu Molecular 100.7
Struttura cristallina Blenda di zincu
L'apparenza Solidu aranciu
Puntu di fusione N/A
Puntu di ebollizione N/A
Densità à 300K 4,14 g/cm3
Gap energeticu 2,26 eV
resistività intrinseca N/A
Numero CAS 12063-98-8
numeru EC 235-057-2

Fosfuru di Gallium GaP Wafer, cù bassa corrente è alta efficienza in l'emissione di luce, hè adattatu per i sistemi di visualizazione otticu cum'è diodi emettitori di luce rossi, aranciu è verdi (LED) à prezzu bassu è retroilluminazione di LCD gialli è verdi, ecc. luminosità, GaP hè ancu aduttatu largamente cum'è sustrato di basa per i sensori infrarossi è a fabricazione di càmera di monitoraghju.

GaP-W2

w3

GaP-W1

s20

PC-28

Cunsiglii di Acquisizione

  • Esempiu dispunibule nantu à a dumanda
  • Consegna di Sicurezza di Merchenzie Per Courier / Air / Sea
  • Gestione di a qualità COA/COC
  • Imballaggio Sicuru è Conveniente
  • Imballaggio standard di l'ONU dispunibule nantu à dumanda
  • Certificatu ISO9001: 2015
  • Termini CPT/CIP/FOB/CFR da Incoterms 2010
  • Termini di Pagamentu Flessibili T/TD/PL/C Accettabili
  • Servizii Full Dimensional After-Sale
  • Ispezione di qualità da una facilità di punta
  • Approvazione di i Regolamenti Rohs/REACH
  • Accordi di Non-Disclosure NDA
  • Pulitica Minerale Non-Conflittu
  • Revisione Regular di Gestione Ambientale
  • Cumplimentu di a Responsabilità Soziale

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