Indium Arsenide InAs

Descrizzione

Indium arsenide cristal InAs hè un semiconductor compostu di u gruppu III-V sintetizatu da almenu 6N 7N elementi puri di indiu è arsenicu è cultivatu unicu cristallu da u prucessu VGF o Liquid Encapsulated Czochralski (LEC), aspettu di culore grisgiu, cristalli cubi cù struttura zinc-blende. , puntu di fusione di 942 °C.L'intervallo di banda di l'arsenidu di indiu hè una transizione diretta identica à l'arsenidu di galiu, è a larghezza di banda pruibita hè 0.45eV (300K).U cristallu InAs hà una alta uniformità di i parametri elettrici, un reticulatu constantu, una alta mobilità di l'elettroni è una bassa densità di difetti.Un cristallu InAs cilindrico cultivatu da VGF o LEC pò esse tagliatu è fabbricatu in wafer as-cut, incisu, lucidatu o epi-ready per a crescita epitaxial MBE o MOCVD.

Applicazioni

L'ostia di cristallo d'arsenidu d'indiu hè un grande sustrato per a fabricazione di dispositivi Hall è sensori di campu magneticu per a so mobilità suprema di a sala ma una banda di energia stretta, un materiale ideale per a custruzzione di rilevatori infrarossi cù a gamma di lunghezze d'onda di 1-3,8 µm aduprate in applicazioni di putenza più alta. à a temperatura di l'ambienti, è ancu i laser super lattice infrarossi di lunghezza d'onda media, fabbricazione di dispositivi LED à infrarossi per a so gamma di lunghezza d'onda di 2-14 μm.Inoltre, InAs hè un sustrato ideale per sustene ancu a struttura eterogenea InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb o AlGaSb super lattice etc.

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Specifica tecnica

Arséniuro d'indiu

InAs

Ostia di cristallu d'arseniu d'indiuhè un grande sustrato per a fabricazione di dispositivi Hall è sensori di campu magneticu per a so mobilità suprema di a sala, ma una banda di energia stretta, un materiale ideale per a custruzzione di detettori infrarossi cù una gamma di lunghezze d'onda da 1 à 3,8 µm aduprate in applicazioni di putenza più alta à a temperatura ambiente, oltri a mid-lunghezza d'onda infrarossi super lattice lasers, mid-infrared LEDs dispusitivi fabbricazione per a so gamma di lunghezza d'onda 2-14 μm.Inoltre, InAs hè un sustrato ideale per sustene ancu a struttura eterogenea InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb o AlGaSb super lattice etc.

Innò.	Articuli	Specificazione standard
1	Taglia	2"	3"	4"
2	Diametru mm	50,5 ± 0,5	76,2 ± 0,5	100 ± 0,5
3	Metudu di crescita	LEC	LEC	LEC
4	Conductivity	Tipo P/Dopato Zn, Tipo N/Dopato S, Non drogato
5	Orientazione	(100) ± 0,5 °, (111) ± 0,5 °
6	Spessore μm	500 ± 25	600±25	800 ± 25
7	Orientazione Piatto mm	16 ± 2	22±2	32 ± 2
8	Identificazione Piatto mm	8 ± 1	11 ± 1	18 ± 1
9	Mobilità cm2/Vs	60-300, ≥2000 o cum'è necessariu
10	Carrier Concentration cm-3	(3-80) E17 o ≤5E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Prua μm max	10	10	10
13	Warp μm max	15	15	15
14	Dislocazione Densità cm-2 max	1000	2000	5000
15	Finitura di a superficia	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	imballaggio	Récipient à wafer unique scellé dans un sac d'aluminium.

Formula lineare	InAs
Pesu Molecular	189,74
Struttura cristallina	Blenda di zincu
Apparizione	Solidu cristalinu grisgiu
Puntu di fusione	(936-942) °C
Puntu di ebollizione	N/A
Densità à 300K	5,67 g/cm³
Gap energeticu	0,354 eV
Resistività intrinseca	0,16 Ω-cm
Numero CAS	1303-11-3
numeru EC	215-115-3

Indium Arsenide InAsin Western Minmetals (SC) Corporation pò esse furnitu cum'è frammenti policristallini o monocristallini tagliati, incisi, lucidati o pronti per l'epi in una dimensione di 2" 3" è 4" (50mm, 75mm, 100mm) di diametru, è Conduttività di tipo p, tipo n o non drogata e orientazione <111> o <100>.A specificazione persunalizata hè per a suluzione perfetta à i nostri clienti in u mondu sanu.