Nitruru di Gallium GaN

Descrizzione

Nitruru di Gallium GaN, CAS 25617-97-4, massa molekulari 83.73, struttura di cristalli wurtzite, hè un semiconductor binari di u gruppu III-V cultivatu da un metudu di prucessu ammonothermal altamente sviluppatu.Caratterizatu da una qualità cristallina perfetta, alta conduttività termale, alta mobilità di l'elettroni, altu campu elettricu criticu è largu bandgap, Gallium Nitrure GaN hà caratteristiche desiderate in l'applicazioni optoelettronica è sensing.

Applicazioni

Gallium Nitrure GaN hè adattatu per a produzzione di cumpunenti LED di diodi luminosi luminosi d'alta velocità è alta capacità, apparecchi laser è optoelettronica cum'è laser verdi è blu, transistor di alta mobilità elettronica (HEMT) è in alta putenza. è industria di fabricazione di dispusitivi à alta temperatura.

Consegna

Gallium Nitrure GaN in Western Minmetals (SC) Corporation pò esse furnitu in dimensioni di wafer circular 2 inch "o 4" (50mm, 100mm) è di wafer quadratu 10 × 10 o 10 × 5 mm.Ogni dimensione è specificazione persunalizata sò per a suluzione perfetta à i nostri clienti in u mondu sanu.

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Specificazione tecnica

Nitruru di Gallium GaN

Nitruru di Gallium GaNin Western Minmetals (SC) Corporation pò esse furnitu in dimensioni di wafer circular 2 inch "o 4" (50mm, 100mm) è wafer quadratu 10 × 10 o 10 × 5 mm.Ogni dimensione è specificazione persunalizata sò per a suluzione perfetta à i nostri clienti in u mondu sanu.

Innò.	Articuli	Specificazione Standard
1	Forma	Circular	Circular	Square
2	Taglia	2"	4"	--
3	Diametru mm	50,8 ± 0,5	100 ± 0,5	--
4	Lunghezza laterale mm	--	--	10x10 o 10x5
5	Metudu di crescita	HVPE	HVPE	HVPE
6	Orientazione	C-plane (0001)	C-plane (0001)	C-plane (0001)
7	Tipu di Conductivity	Tipo N/Si-dopato, Non drogato, Semi-isolante
8	Resistività Ω-cm	<0,1, <0,05, >1E6
9	Spessore μm	350 ± 25	350 ± 25	350 ± 25
10	TTV μm max	15	15	15
11	Prua μm max	20	20	20
12	EPD cm-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	Finitura di a superficia	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
14	Rugosità di a superficia	Frontale: ≤0.2nm, Back: 0.5-1.5μm o ≤0.2nm
15	imballaggio	Récipient à wafer unique scellé dans un sac d'aluminium.

Formula lineare	GaN
Pesu Molecular	83,73
Struttura cristallina	Blenda di zincu / Wurtzite
Apparizione	Solidu traslucente
Puntu di fusione	2500 °C
Puntu di ebollizione	N/A
Densità à 300K	6,15 g/cm³
Gap energeticu	(3,2-3,29) eV à 300K
resistività intrinseca	> 1E8 Ω-cm
Numero CAS	25617-97-4
numeru EC	247-129-0

Nitruru di Gallium GaNhè adattatu per a produzzione di cumpunenti LED di diodi luminosi luminosi di alta velocità è di alta capacità, apparecchi laser è optoelettronica cum'è laser verdi è blu, transistor di alta mobilità di l'elettroni (HEMTs) è prudutti d'alta putenza è high- industria di fabricazione di dispusitivi di temperatura.