Fosfuru d'indiu InP

Descrizzione

Fosfuru d'indiu InP,CAS No.22398-80-7, puntu di fusione 1600 ° C, un semiconductor compostu binariu di a famiglia III-V, una struttura cristallina cubica "zinc blende" centrata in faccia, identica à a maiò parte di i semiconduttori III-V, hè sintetizzata da Elementu d'indiu è fosforu 6N 7N d'alta purezza, è cultivatu in un cristallu unicu da a tecnica LEC o VGF.U cristallu di fosfuru d'indiu hè dopatu per esse una conduttività n-tip, p-tip o semi-insulating per una ulteriore fabricazione di wafer finu à 6 "(150 mm) di diametru, chì presenta a so banda diretta, una alta mobilità superiore di elettroni è buchi è termica efficiente. conduttività.Indium Phosphide InP Wafer prime o gradu di prova in Western Minmetals (SC) Corporation pò esse prupostu cù una conduttività p-type, n-type è semi-insulating in dimensioni di 2 "3" 4" è 6 "(finu à 150 mm) di diametru, orientazione <111> o <100> è spessore 350-625um cù finitura superficiale di prucessu incisu è lucidatu o Epi-ready.Intantu, u lingotto di cristallu unicu di fosfuru d'indiu 2-6″ hè dispunibule nantu à dumanda.Polycrystalline Indium Phosphide InP o lingotti InP multi-cristallini in dimensione di D (60-75) x Lunghezza (180-400) mm di 2.5-6.0kg cù cuncentrazione di trasportatore di menu di 6E15 o 6E15-3E16 hè ancu dispunibule.Ogni specificazione persunalizata dispunibule nantu à dumanda per ottene a suluzione perfetta.

Applicazioni

L'ostia di Indium Phosphide InP hè largamente utilizata per a fabricazione di cumpunenti optoelettronici, apparecchi elettronichi d'alta putenza è di alta frequenza, cum'è sustrato per i dispositi opto-elettronici basati in indiu-gallium-arsenide (InGaAs).Indium Phosphide hè ancu in a fabricazione di fonti luminose estremamente promettenti in cumunicazioni in fibra ottica, dispositivi di fonte di energia di microonde, amplificatori di microonde è dispositivi FET di porta, modulatori d'alta velocità è foto-detettori, è navigazione satellitare è cusì.

Inchiesta avà

Dettagli

Tags

Specifica tecnica

Fosfuru d'indiu InP

Fosfuru d'indiu unicu cristalluWafer (lingotto di cristallo InP o Wafer) in Western Minmetals (SC) Corporation pò esse prupostu cù una conduttività p-type, n-type è semi-insulating in dimensioni di 2" 3" 4" è 6" (finu à 150 mm) di diametru, orientazione <111> o <100> è spessore 350-625um cù finitura superficiale di prucessu incisu è lucidatu o Epi-ready.

Fosfuru d'indiu Policristallineo Lingotto Multi-Crystal (InP poly ingot) in dimensione di D (60-75) x L (180-400) mm di 2.5-6.0kg cù cuncentrazione di trasportatore di menu di 6E15 o 6E15-3E16 hè dispunibule.Ogni specificazione persunalizata dispunibule nantu à dumanda per ottene a suluzione perfetta.

Innò.	Articuli	Specificazione standard
1	Fosfuru d'indiu unicu cristallu	2"	3"	4"
2	Diametru mm	50,8 ± 0,5	76,2 ± 0,5	100 ± 0,5
3	Metudu di crescita	VGF	VGF	VGF
4	Conductivity	P/Zn-dopato, N/(S-dopato o non drogato), Semi-isolante
5	Orientazione	(100) ± 0,5 °, (111) ± 0,5 °
6	Spessore μm	350 ± 25	600±25	600±25
7	Orientazione Piatto mm	16 ± 2	22 ± 1	32,5 ± 1
8	Identificazione Piatto mm	8 ± 1	11 ± 1	18 ± 1
9	Mobilità cm2/Vs	50-70, > 2000, (1.5-4) E3
10	Carrier Concentration cm-3	(0,6-6) E18, ≤3E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Prua μm max	10	10	10
13	Warp μm max	15	15	15
14	Dislocazione Densità cm-2 max	500	1000	2000
15	Finitura di a superficia	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	imballaggio	Contenitore di wafer unicu sigillatu in un saccu compositu d'aluminiu.

Innò.	Articuli	Specificazione standard
1	Lingotto di fosfuru d'indiu	Lingotto policristallino o multicristallino
2	Size Crystal	D (60-75) x L (180-400) mm
3	Pesu per lingotto di cristallo	2,5-6,0 kg
4	A mobilità	≥3500 cm²/VS
5	Cuncentrazione di Carrier	≤6E15, o 6E15-3E16 cm^-3
6	imballaggio	Ogni lingotto di cristallo InP hè in un saccu di plastica sigillatu, 2-3 lingotti in una scatula di cartone.

Formula lineare	InP
Pesu Molecular	145,79
Struttura cristallina	Blenda di zincu
Apparizione	Cristallinu
Puntu di fusione	1062 ° C
Puntu di ebollizione	N/A
Densità à 300K	4,81 g/cm³
Gap energeticu	1.344 eV
resistività intrinseca	8.6E7 Ω-cm
Numero CAS	22398-80-7
numeru EC	244-959-5

Fosfuru d'indiu InP Waferhè largamente utilizatu per a fabricazione di cumpunenti optoelettronici, apparecchi elettronichi d'alta putenza è d'alta freccia, cum'è sustrato per i dispositi optoelettronici basati in l'indiu-gallium-arsenide (InGaAs) epitaxial.Indium Phosphide hè ancu in a fabricazione di fonti luminose estremamente promettenti in cumunicazioni in fibra ottica, dispositivi di fonte di energia di microonde, amplificatori di microonde è dispositivi FET di porta, modulatori d'alta velocità è foto-detettori, è navigazione satellitare è cusì.