Indium Antimonide InSb

Descrizzione

Indium Antimonide InSb, un semiconductor di u gruppu III-V cumposti cristallini cù struttura zincu-blende lattice, hè sintetizatu da 6N 7N high purity Indium è elementi antimoniu, è cultivatu unicu cristallu da u metudu VGF o Liquid Encapsulated Czochralski LEC mètudu da multiple zone lingotti polycrystalline raffinatu, chì pò esse tagliatu è fabbricatu in wafer è bluccà dopu.InSb hè un semiconduttore di transizione diretta cù una banda stretta di 0.17eV à a temperatura di l'ambienti, alta sensibilità à a lunghezza d'onda di 1–5 μm è una mobilità hall ultra alta.Indium Antimonide InSb a conduttività n-type, p-type è semi-insulating in Western Minmetals (SC) Corporation pò esse pruposta in dimensioni di 1″ 2″ 3″ è 4″ (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) di diametru, orientazione < 111> o <100>, è cù finitura superficiale di wafer di tagliata, lappata, incisa è lucidata.Indium Antimonide InSb target of Dia.50-80mm cù un-doped n-type hè ancu dispunibule.Intantu, l'antimonide d'indiu policristalinu InSb (multicristallino InSb) cù una dimensione di lump irregulare, o biancu (15-40) x (40-80) mm, è una barra tonda di D30-80mm sò ancu persunalizati nantu à dumanda à a suluzione perfetta.

Applicazione

Indium Antimonide InSb hè un sustrato ideale per a produzzione di parechji cumpunenti è dispusitivi di punta, cum'è una soluzione di imaging termale avanzata, un sistema FLIR, un elementu di hall è un effettu di magnetoresistenza, un sistema di guida di missile homing à infrarossi, un sensore di fotodetettore infrarossu altamente reattivu. , sensore di resistività magnetica è rotativa d'alta precisione, matrici planari focali, è ancu adattatu cum'è fonte di radiazione terahertz è in telescopiu spaziale astronomicu infrarossu, etc.

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Specificazione tecnica

Indium Antimonide

InSb

Substratu d'antimonidu di indiu(Substratu InSb, Wafer InSb) n-type o p-type in Western Minmetals (SC) Corporation pò esse prupostu in dimensioni di 1" 2" 3" è 4" (30, 50, 75 è 100 mm) di diametru, orientazione <111> o <100>, è cù superficia wafer di finitura lappata, incisa, lucidata.Indium Antimonide Single Crystal bar (InSb Monocrystal bar) pò ancu esse furnitu nantu à dumanda.

Indium AntimonidePolycrystalline (InSb Polycrystalline, o multicrystal InSb) cù taglia di lump irregulari, o biancu (15-40) x (40-80) mm sò dinù persunalizati à dumanda à a suluzione perfetta.

Intantu, Indium Antimonide Target (InSb Target) di Dia.50-80mm cù un-doped n-type hè ancu dispunibule.

Innò.	Articuli	Specificazione Standard
1	Substratu d'antimonidu di indiu	2"	3"	4"
2	Diametru mm	50,5 ± 0,5	76,2 ± 0,5	100 ± 0,5
3	Metudu di crescita	LEC	LEC	LEC
4	Conductivity	P-type/Zn,Ge drogato, N-tipo/Te-dopato, Un-doped
5	Orientazione	(100) ± 0,5 °, (111) ± 0,5 °
6	Spessore μm	500 ± 25	600±25	800 ± 25
7	Orientazione Piatto mm	16 ± 2	22 ± 1	32,5 ± 1
8	Identificazione Piatto mm	8 ± 1	11 ± 1	18 ± 1
9	Mobilità cm2/Vs	1-7E5 N/non drogato, 3E5-2E4 N/Te drogato, 8-0,6E3 o ≤8E13 P/Ge drogato
10	Carrier Concentration cm-3	6E13-3E14 N/non drogato, 3E14-2E18 N/Te-dopato, 1E14-9E17 o <1E14 P/Ge-dopato
11	TTV μm max	15	15	15
12	Prua μm max	15	15	15
13	Warp μm max	20	20	20
14	Dislocazione Densità cm-2 max	50	50	50
15	Finitura di a superficia	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	imballaggio	Récipient à wafer unique scellé dans un sac d'aluminium.

Innò.	Articuli	Specificazione Standard
Innò.	Articuli	Indium Antimonide Polycristalline	Target d'antimonidu di indiu
1	Conductivity	Undoped	Undoped
2	Carrier Concentrazione cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Mobilità cm²/ Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Taglia	15-40x40-80 mm	D (50-80) mm
5	imballaggio	In saccu d'aluminiu cumpostu, scatula di cartone fora

Formula lineare	InSb
Pesu Molecular	236,58
Struttura cristallina	Blenda di zincu
Apparizione	Cristalli metallici grisgiu scuru
Puntu di fusione	527 °C
Puntu di ebollizione	N/A
Densità à 300K	5,78 g/cm³
Gap energeticu	0,17 eV
resistività intrinseca	4E(-3) Ω-cm
Numero CAS	1312-41-0
numeru EC	215-192-3

Indium Antimonide InSbwafer hè un sustrato ideale per a produzzione di parechji cumpunenti è dispusitivi di punta, cum'è una soluzione di imaging termale avanzata, un sistema FLIR, un elementu di hall è un elementu d'effettu di magnetoresistenza, un sistema di guida di missile homing à infrarossi, un sensore di fotodetettore infrarossu altamente reattivu, altu. -sensore di resistività magnetica è rotativa di precisione, matrici planari focali, è ancu adattatu cum'è fonte di radiazione terahertz è in telescopiu spaziale astronomicu infrarossu, etc.